https://repository.utm.md/handle/5014/14079 2026-10-20T12:43:18Z https://repository.utm.md/handle/5014/37260 Procedeu de funcţionalizare a nanofirelor de ZnO cu peliculă nanocristalină de ZnAl2O4 LUPAN, Cristian; TROFIM, Viorel Invenţia se referă la tehnica şi tehnologia semiconductorilor oxizi, în particular la un procedeu de funcţionalizare a nanofirelor de ZnO cu peliculă nanocristalină de ZnAl2O4. Procedeul de funcţionalizare a nanofirelor de ZnO cu peliculă nanocristalină de ZnAl2O4 constă în aceea că se confecţionează nanofirele de ZnO într-un cuptor, utilizând metoda de sinteză prin transportul de flacără (FTS); se aşează nanofirele de ZnO pe suprafaţa unei plachete de Si oxidate termic, şi se introduce placheta într-un reactor de cuarţ vidat şi încălzit până la temperatura de 450°C; se transportă, în reactorul de cuarţ, printr-un flux de argon, vapori de Al(C3H7O)3, obţinuţi prin introducerea prafului de Al(C3H7O)3 într-un barbotor din cuarţ, încălzit până la temperatura de 120°C, în reactorul de cuarţ având loc reacţia de piroliză termică, cu obţinerea oxidului de aluminiu (Al2O3), care se depune pe suprafaţa nanofirelor de ZnO, formând o peliculă de Al2O3; nanofirele de ZnO acoperite cu un strat de peliculă de Al2O3 se tratează termic în reactorul de cuarţ la temperatura de 975°C timp de 2h, unde are loc difuzia între ambele substanţe şi transformarea peliculei de Al2O3 într-o peliculă nanocristalină de ZnAl2O4. 2026-01-01T00:00:00Z https://repository.utm.md/handle/5014/37259 Procedeu de obţinere a senzorului de hidrogen pe baza nanostructurilor de ZnO/SiO2 LUPAN, Cristian; TROFIM, Viorel Invenţia se referă la tehnica şi tehnologia semiconductorilor oxizi, în particular la procedeul de obţinere a senzorilor de hidrogen pe baza nanostructurilor de ZnO/SiO2. Procedeul, conform invenţiei, include depunerea pe un suport de sticlă prin metoda sintezei chimice din soluţie a peliculei nanostructurate de ZnO, depunerea pe aceasta prin metoda descompunerii pirolitice a tetraetoxisilanului Si(OC2H5)4 la temperatura de 750 °C a peliculei de SiO2 cu grosimea de 25-30 nm, depunerea pe ultima a contactelor ohmice din Au-Cr şi tratarea termică la temperatura de 850 °C timp de 2 ore. 2026-01-01T00:00:00Z https://repository.utm.md/handle/5014/37258 Procedeu de obţinere a senzorului de ZnO/Al2O3 sensibil la compuşi organici volatili LUPAN, Cristian; BUZDUGAN, Artur; LUPAN, Oleg; BÎRNAZ, Adrian; MAGARIU, Nicolae Invenţia se referă la tehnica de măsurare şi monitorizare a mediului ambiant, în special la senzori pe bază de ZnO/Al2O3, destinaţi detectării compuşilor organici volatili. Procedeul, conform invenţiei, constă în depunerea pe un suport de sticlă prin metoda sintezei chimice din soluţii a peliculei de ZnO, tratarea termică în aer la 650 °C timp de 120 min, depunerea ulterioară prin metoda vaporizării termice în vid a peliculei de Al2O3 cu grosimea de 12 nm, depunerea contactelor din aur şi tratarea în câmp de radiaţie gama de la o sursă de Cs-137 timp de 60 s cu un debit al dozei de 6,4 Gy/min a senzorului de ZnO/Al2O3. 2025-01-01T00:00:00Z https://repository.utm.md/handle/5014/37257 Procedeu de obţinere a senzorului de ZnO:Eu funcţionalizat cu Pd sensibil la n-butanol şi hidrogen LUPAN, Cristian; BÎRNAZ, Adrian; BUZDUGAN, Artur; LUPAN, Oleg Invenţia se referă la tehnica de măsurare, în special la senzori în baza peliculelor de ZnO:Eu funcţionalizaţi cu Pd pentru detecţia n-butanolului şi hidrogenului. Procedeul de obţinere a senzorului de ZnO:Eu funcţionalizat cu Pd sensibil la n-butanol şi hidrogen include obţinerea prin metoda sintezei chimice din soluţii a unei pelicule de ZnO:Eu cu concentraţia de 0,05 at% Eu, tratarea termică în aer la 650 °C timp de 2 ore, funcţionalizarea cu Pd şi tratarea în câmp de radiaţie gama de la o sursă de Cs-137 timp de 60 de secunde cu o doză de 63 μGy/min. Rezultatul tehnic constă în micşorarea temperaturii de lucru până la 150-200°C şi sporirea sensibilităţii la n-butanol şi hydrogen. 2024-01-01T00:00:00Z